Электронная компонентная база

размер шрифта

ПОСТАНОВЛЕНИЕ Правительства РФ от 08-11-2001 779 (ред от 07-05-2006) ОБ УТВЕРЖДЕНИИ ФЕДЕРАЛЬНОЙ ЦЕЛЕВОЙ ПРОГРАММЫ НАЦИОНАЛЬНАЯ… Актуально в 2018 году

Мероприятия данного раздела соответствуют приоритетным направлениям развития науки, технологий и техники Российской Федерации «Информационно-телекоммуникационные технологии и электроника», «Космические и авиационные технологии», «Новые материалы и химические технологии», «Перспективные вооружения, военная и специальная техника» и предусматривают работы по развитию включенных в перечень критических технологий Российской Федерации технологий «Материалы для микро- и наноэлектроники», «Микросистемная техника», «Опто-, радио- и акустоэлектроника, оптическая и сверхвысокочастотная связь», «Прецизионные и нанометрические технологии обработки, сборки, контроля», «Элементная база микроэлектроники, наноэлектроники и квантовых компьютеров».

Стратегической целью этого раздела является развитие прорывных электронных технологий, и в первую очередь разработка высококачественных элементов микроэлектроники, акусто- и магнитоэлектроники, оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники для создания перспективных образцов систем, обеспечения их эффективности и надежности. Для достижения этой цели актуален переход на новые технологические принципы проектирования и разработки, ориентированные на применение сложнофункциональных (СФ) блоков и на их основе — сверхбольших интегральных схем (СБИС) «система на кристалле» и требующие постоянного взаимодействия и объединения научно-технологических потенциалов разработчиков элементной базы и разработчиков электронных систем.

Главными направлениями мероприятий в области создания электронной компонентной базы, включенных в этот раздел, являются:

разработка методологии проектирования современной элементной компонентной базы, основанной на новых СБИС «система на кристалле», создания информационной базы библиотечных элементов и СФ-блоков (направления работ 35, 36, 37, 39, 40, 42, 91 и 92 приложения N 1);

разработка функционально полной номенклатуры электронной компонентной базы, необходимой для комплектации действующих и вновь разрабатываемых образцов серийно выпускаемых систем (направления работ 38, 41 и 89 приложения N 1);

разработка и сопровождение нормативно-технических документов, направленных на обеспечение требуемой радиационной и электромагнитной стойкости, стандартизации, унификации, качества и надежности СФ-блоков и СБИС «система на кристалле» на их основе (направления работ 93-96 приложения N 1).

Состояние и уровень развития оптоэлектронных, лазерных и ИК-технологий, во многом определяющих технический прогресс в науке и промышленности, технологическую независимость и военную безопасность государства, в свою очередь, зависят от качества промышленного освоения компонентной базы, используемой в оптико-электронных, лазерных и инфракрасных системах и приборах.

Данным разделом Программы предусматривается проведение работ по наиболее актуальным направлениям развития этой компонентной базы, по которым за последние десятилетия Россия отстала от наиболее развитых стран мира, в том числе по разработке:

схемотехнических, физико-технологических, конструктивных, материаловедческих и метрологических решений, обеспечивающих создание высокочувствительных фотоприемников и фотоприемных устройств в ближнем, среднем и дальнем ИК-диапазонах (1,3-2,5; 3-5; 8-12 мкм), включая многорядные высокочувствительные приемники со встроенной охлаждаемой электронной системой накопления и обработки сигналов, мультиплексоры, микросхемные малошумящие операционные усилители, неохлаждаемые болометрические матрицы, микрокриогенные и термоэлектрические охладители для фотоприемников и фотоприемных устройств;

унифицированного ряда фотоприемников и фотоприемных устройств для волоконно-оптических линий связи;

мощных полупроводниковых одиночных и матричных лазеров, твердотельных лазерных модулей, лазеров с полупроводниковой накачкой, газовых лазеров УФ- и ИК-диапазонов, микролазеров на основе оптического волокна, элементной базы для лазерных локаторов, высокоэффективных отражателей и другой компонентной базы лазерной техники;

оптического, в том числе активного, волокна, волоконно-оптических элементов, волоконных планарных и канальных структур из различных материалов, волокна УФ-диапазона с повышенными оптическими и механическими характеристиками для диагностики плазмы;

электронно-оптических преобразователей нового поколения, фотокатодов и микроканальных пластин для них;

полупроводниковых индикаторов на базе антистоксовых люминофоров, работающих совместно с приборами ночного видения;

рецептур новых оптических сред и технологий получения особо чистых веществ для их производства;

материалов для новых типов многослойных защитных и просветляющих покрытий на оптических деталях, оптических клеев, многослойных светофильтров для ИК-области спектра;

функциональных модулей усиления и цифровой обработки сигналов изображений, управляемых интерференционных тонкопленочных элементов, акустоуправляемых и светоуправляемых жидкокристаллических устройств;

УФ-объектива для фотолитографии с разрешением 0,15-0,18 мкм и специального стекла для него.

Выполнение предусмотренных работ (направление работ подраздела 7 раздела II приложения N 1) должно создать технологический базис для развития новых направлений в оптоэлектронике, лазерной и инфракрасной технике.

Кроме того, важными направлениями работ в области развития электронных технологий, включенных в этот раздел, являются:

разработка базовых технологий проектирования, изготовления и создания необходимых производств сверхскоростных и сверхбольших интегральных схем уровня 0,1-0,25 мкм (направления работ 15, 17, 99-101 приложения N 1);

разработка технологий производства микромеханических элементов и создание нанотехнологических комплексов для наноэлементов и терабитных микромеханических запоминающих устройств, что позволит создать принципиально новую микросистемную технику с использованием искусственного интеллекта, а также разработать СБИС с уровнем интеграции до 10 в ст. 9 бит/см2 (направления работ подраздела 2 раздела II приложения N 1);

разработка акустоэлектронных технологий и компонентов, в том числе интегрированных датчиков, фильтров, преобразователей и других компонентов перспективных электронных систем (направления работ подраздела 3 раздела II приложения N 1);

разработка новых и совершенствование действующих базовых технологических процессов создания вакуумной и твердотельной СВЧ-техники для создания высокоточных систем и принципиально новых образцов современной аппаратуры (направления работ подраздела 4 раздела II приложения N 1);

разработка технологий производства новых поколений акустоэлектронных и магнитоэлектронных устройств с минимальными размерами элементов 0,5-0,7 мкм, обеспечивающих создание унифицированных комплексов сверхвысокой производительности и достижение мирового уровня при создании мультимедиа- и телекоммуникационной техники (направления работ подраздела 3 раздела II приложения N 1);

создание базовых технологий оборудования, материалов и метрологических средств контроля производства новых поколений резисторов, конденсаторов, коммутирующих и коммутационных изделий, герконов, что позволит разработать новую радиоэлектронную аппаратуру с тактико-техническими характеристиками, соответствующими мировому уровню (направления работ подраздела 8 раздела II приложения N 1).

Для реализации указанных работ предложена система первоочередных инвестиционных проектов, внедрение которых позволит создать современную инфраструктуру проектирования и производства высокоинтегрированной электронной компонентной базы, необходимой для существующих и перспективных радиоэлектронных систем и комплексов (направления работ 97-103 приложения N 1).

Этот последний вопрос особенно волновал участников конференции. Будучи в России реальными производителями электроники, они были очень огорчены тем, что круг исполнителей программы, между которыми поделен пирог финансовой поддержки государства, уже определен и, как говорится, поезд уже ушел. «Мы производим реальную и конкурентоспособную электронную технику, и государство должно выступать заказчиком у нас, контрактных производителей,
а мы остались за бортом», – звучали удрученные голоса участников конференции. Производителям электроники попытался вселить толику оптимизма представитель государства, начальник отдела Управления радиоэлектронной промышленности и систем управления Юрий Грибанов, сообщив, что «пока существует только концепция ФЦП и пирог предположительно поделен примерно на 90%, следовательно, каждый разработчик или производитель еще имеет шанс стать одним из исполнителей программы». (Напомним читателям, что ранее постановлением Правительства Российской Федерации от 29 января 2007 г. № 54 была утверждена подпрограмма «Развитие электронной компонентной базы» на 2007–2011 годы Федеральной целевой программы «Национальная технологическая база» на 2007–2011 годы.) Концепция ФЦП предусматривает комплексное развитие обеспечивающей элементной базы, развитие разработки на ее основе стратегически важной радиоэлектронной аппаратуры и систем, а также развитие производства рыночно ориентированной продукции радиоэлектронного комплекса. Основной акцент делается на максимально возможное удовлетворение потребностей внутреннего рынка.
Ниже публикуем первую часть Концепции Федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 годы, в которой приведено обоснование соответствия решаемой проблемы и целей программы приоритетным задачам социально-экономического развития Российской Федерации (с полным текстом Концепции ФЦП можно ознакомиться на сайте «ЦНИИ Электроника» – www.instel.ru).
«Проблемой, рассматриваемой в рамках настоящей Концепции, является создание конкурентоспособных на внутреннем и мировом рынках электронной компонентной базы и радиоэлектронной продукции путем формирования современной инфраструктуры высокотехнологичной радиоэлектронной отрасли промышленности.
Данная проблема носит системный характер, и от ее решения зависят эффективность мер по обеспечению технологической, технической и информационной безопасности и укреплению обороноспособности страны, динамика экономического подъема и повышение конкурентоспособности радиоэлектронной отрасли и всей отечественной промышленности, а также рост благосостояния населения страны.
Степень развития радиоэлектронной промышленности определяет одновременно потенциал технологического развития страны и ее безопасности.
В состав радиоэлектронной промышленности входят электронная промышленность, радиопромышленность и промышленность средств связи. Электронная промышленность осуществляет разработку и производство электронной компонентной базы.
Электронная компонентная база (ЭКБ) – это широкая номенклатура электронных изделий и приборов, определяющих технические и потребительские характеристики конечной продукции, выпускаемой всеми отраслями хозяйства (машиностроение, транспорт, медицинское приборостроение, энергетика и т.д.).
Радиопромышленность и промышленность средств связи осуществляют разработку и производство современной радиоэлектронной аппаратуры, систем, комплексов, средств, устройств, приборов и отдельных радиоэлектронных блоков. При этом доля ЭКБ, вовлеченной в сферы мирового производства и потребления, растет с каждым годом. В сфере информационных и телекоммуникационных технологий, являющихся основной составляющей высокотехнологичной экономики и социальной сферы, доля, обусловленная прямым применением ЭКБ, составляет не менее 70%, а в других высокотехнологичных отраслях экономики – до 60% (автомобили –
до 20%, научное приборостроение – до 40%, авиация – до 55%). Как показывает мировая практика:
* темпы роста объемов производства радиоэлектронной продукции значительно выше темпов роста ВВП в целом;
* одно рабочее место в электронной промышленности инициирует создание до 4 рабочих мест в других отраслях;
* среднемировой срок окупаемости вложений в ЭКБ составляет не более 2 лет.
На протяжении последних 30 лет среднегодовой прирост ЭКБ и радиоэлектронной продукции в мире составлял около 15%. Ожидается, что таким он сохранится еще 10–15 лет и объем ЭКБ и радиоэлектронной продукции может достигнуть 20% от всего промышленного производства развитых стран.
В течение многих лет локомотивом развития электронных технологий была специальная и военная техника, так как бюджеты на ее разработку и производство позволяли осуществлять финансирование широкого фронта поисковых исследований и создание прорывных технологий. И лишь затем эти технологии находили применение в гражданском секторе. В качестве примера важнейших конверсионных технологий, созданных в 60 – 80-е годы, можно назвать разработку технологий СБИС, персональных компьютеров и микропроцессоров в рамках американской Лунной программы и спутниковую навигационную систему GPS, первоначально предназначенную исключительно для военных нужд.
Однако сегодня ситуация начинает принципиально меняться, так как современные технологии стали очень дороги и могут окупиться только при организации массового выпуска аппаратуры для населения. Ярким примером такой «реконверсии» является разработка технологии жидкокристаллических (LCD) и плазменных (PDP) экранов, затраты на создание которых окупились за счет массового рынка потребительской электроники и которые сегодня широко применяются в технике специального назначения. В качестве другого примера можно привести технологию сотовой связи GSM, базовые решения которой стали основой большинства современных цифровых систем связи.
Наконец, технологии интерактивного цифрового телевидения в дальнейшем дадут мощный импульс развитию нового поколения мультимедийных информационных систем, в том числе для мобильных служб. Поэтому укрепление позиций на рынке бытовой электроники приобретает стратегическое значение для дальнейшего развития радиоэлектронной промышленности.
Российский рынок бытовой электроники имеет высокую динамику развития, и в настоящее время его объем оценивается в 20 млрд. долл. Поэтому задача завоевания отечественными производителями значительной доли этого рынка должна стать одной из приоритетных для радиоэлектронной промышленности. Однако уровень развития отечественных ЭКБ и радиоэлектроники не соответствует в большинстве случаев мировым достижениям. Ярким доказательством этому является доминирование иностранного производителя на внутреннем рынке ЭКБ и радиоэлектроники. Именно в наиболее важных секторах внутреннего рынка: средствах электронной обработки данных, медицинской и промышленной электронике, средствах радиосвязи, телекоммуникационном оборудовании, бытовой электронике, контрольно-измерительном оборудовании, микроэлектронике – наблюдается отставание отечественного производителя.
Основной причиной отставания отечественных средств радиоэлектроники является низкий уровень:
* электронной компонентной базы (отставание по электрическим характеристикам, конструктивно-технологическим параметрам, номенклатуре и надежности);
* технологичности конструкций составных частей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), микроминиатюризации, систем автоматизированного проектирования (САПР), степени их унификации и стандартизации.
Кроме того, негативное влияние оказывает:
* отсутствие научно-технологических центров, способных создать новые конструкции составных частей РЭА, в том числе унифицированных электронных модулей (УЭМ) и новые технологии, ориентированные на автоматизированное производство РЭА;
* отсутствие в отрасли автоматизированных цехов и заводов по производству РЭА на современном уровне;
* неоптимальное таможенное законодательство, которое не стимулирует развитие внутреннего производства. При действующих таможенных пошлинах многие виды аппаратуры выгоднее завезти в собранном виде, чем производить в России;
* укрепление курса рубля при росте внутренних тарифов на энергоресурсы и логистику, в результате чего снижается конкурентоспособность отечественной радиоэлектронной аппаратуры и ЭКБ.
Тем не менее, в России еще сохранился научно-технический потенциал и творческие научные кадры, способные при соответствующих финансово-экономических условиях и правильной программно-организационной политике выйти на мировой уровень по техническим характеристикам наиболее актуальной радиоэлектронной аппаратуры двойного применения и гражданского назначения.
Таким образом, реализация федеральной целевой программы «Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники» на 2008–2015 годы полностью соответствует приоритетности государственной поддержки стратегически важных для страны инфраструктурных объектов, от развития которых зависит устойчивое функционирование национальной экономики.»

Современная электронная компонентная база (ЭКБ) – основа создания радиоэлектроники нового поколения для применения в специальной технике и объектах промышленного назначения. Единая техническая политика по развитию ЭКБ для государственных нужд сегодня реализуется Департаментом радиоэлектронной промышленности Минпромторга России при выполнении комплекса НИОКР по созданию унифицированных типов изделий ЭКБ в рамках реализации мероприятий федеральных целевых программ и межгосударственных программ союзного государства (Россия – Беларусь).
К концу 2013 года в рамках только одной из программ, финансирование работ по которой началось с конца 2011-го, выполнено 179 НИОКР. В результате выполнения этих работ разработано 399 типов изделий ЭКБ. Количество замещаемых типов изделий ЭКБ иностранного производства составило 464 штук. При этом разрабатываемая ЭКБ обеспечивает поэтапное импортозамещение ЭКБ ИП, прежде всего, в аппаратуре специального назначения.
Ожидается, что к концу 2015 года предприятиями радиоэлектронной промышленности будет разработано и освоено не менее 986 типов изделий (из них 67 типов изделий микроэлектроники), а в период 2016-2020 годов – ещё 1060 типов изделий ЭКБ (включая 70 типов изделий микроэлектроники). Количество замещаемых типов изделий ЭКБ ИП составит в период 2011 – 2015 годов более 1300 типов. В период до 2020 – более 2500 типов.
Наиболее значимые результаты при выполнении НИОКР достигнуты в области разработки СВЧ-изделий, радиационно-стойкой ЭКБ, полупроводниковой и пассивной электроники и электротехнических изделий, где впервые получены результаты на уровне мировых достижений.

В настоящее время разработаны:
• МИС широкополосных монолитных однокристальных усилителей на нитриде галлия, обеспечивающие выходную мощность 1 Вт в диапазоне частот 0,1 – 2 ГГц и 0,5 Вт в диапазоне 0,1 – 4 ГГц при КПД 25% и коэффициенте шума 3,0 дБ и 4,5 дБ соответственно;
• МИС сверхширокополосных монолитных однокристальных малошумящих усилителей в диапазоне частот 0,9-18 ГГц, обеспечивающих коэффициент шума не более 4 дБ при выходной мощности в линейном режиме до 50 мВт и усилители средней мощности (до 400мВт в линейном режиме) с коэффициентом шума не более 6 дБ;
• унифицированные волноводные нагрузки на входную импульсную мощность от 0,1 до 25 МВт;
• многолучевые клистроны с полосой рабочих частот 330 МГц, выходной импульсной мощностью не менее 350Вт и временем готовности не более 40 сек;
• радиационно-стойкие микросхемы АЦП с числом разрядов 8, 12, 14 бит и частотой преобразования 200-600 МГц;
• выпрямительные диоды в т.ч. диоды Шоттки пятого поколения, с напряжениями от 25В до 75В и рабочими токами от 0,2 до 3А;
• кварцевые генераторы, управляемые напряжением, с диапазоном частот до 800 МГц в конструкции для поверхностного монтажа;
• радиочастотные коаксиальные соединители, переходы (в том числе и герметичные) и малогабаритные соединители для диапазона частот до 40 ГГц для применения в трактах СВЧ- аппаратуры;
• огнестойкие, обеспечивающие работоспособность в условиях открытого пламени (не менее 750°С) в течение не менее 3 часов с сохранением всех эксплуатационных и электрических характеристик кабелей передачи данных (с частотой до 100 МГц) и установочные кабели (напряжение переменного тока – до 750В, постоянного тока – до 1000В).
Вместе с разработкой современной ЭКБ планируется проведение обеспечивающих работ, направленных на формирование соответствующей требованиям времени технологической и материаловедческой базы создания ЭКБ, новых методов оценки соответствия заданным требованиям стойкости, в том числе радиационной, и надёжности, методов и средств контроля, в том числе метрологического, значений параметров разрабатываемой ЭКБ.

В числе первоочередных задач:
1. Обеспечение жёсткой унификации схемотехнических решений создания аппаратуры (по кооперации предприятий) в рамках финальных образцов специальной техники и применяемой ЭКБ путём:
• создания при генеральных конструкторах специальной техники подразделений по ЭКБ с руководством на уровне заместителя генерального конструктора;
• оптимизации заявок в Минпромторг России по разработке ЭКБ по всей кооперации предприятий, выполняющих заказы в обеспечение создания финального образца специальной техники;
2. Создание новой системы управления качеством разрабатываемой и изготавливаемой ЭКБ на основе:
• формирования эффективной системы мониторинга качества и сертификации в области ЭКБ;
• разработки современных методов оценки стойкости, спецстойкости и надёжности (при наработке 100 тысяч часов и более) ЭКБ нового поколения;
3. Разработка нового поколения комплекса государственных стандартов на оборонную продукцию в части ЭКБ, других стандартов вида ОТТ, ОТУ, методы испытаний и оценки соответствия.
Решение этих и других организационных и научно-технических проблем, а также задач технического перевооружения предприятий-разработчиков и изготовителей ЭКБ позволит при руководящей роли Минпромторга России обеспечить создание минимально необходимой унифицированной номенклатуры изделий ЭКБ нового поколения, удовлетворяющей требованиям основных потребителей этой продукции.

к.э.н. С.И.Боков,
О.В.Воронков,
д.т.н. проф. В.М. Исаев

Компонентная база

Cтраница 1

Компонентная база аппаратуры третьего и четвертого поколений значительно сложнее традиционных дискретных элементов. Предприятия-изготовители ИМС, как правило, выполняют большую часть работы по разработке и изготовлению аппаратуры, используя современные методы проектирования, микроэлектронную технологию и выпускают продукцию, которая значительно ближе к готовому прибору, аппарату.  

Изменение сыпучести ( Сп тукосмеси состава ( карбамид про-стой гранулированный суперфосфат хлори-ст. ып калий при хранении.  

Испытаниями была охвачена практически вся современная компонентная база тукосмешения. Стандартные методы были дополнены новыми, более современными инструментальными методами испытаний.  

Конструкции аналоговой микросборки, выполненной по тонкопленочной ( а и совмещенной ( б технологиям.  

Актуальность миниатюризации аналоговых устройств и их компонентной базы вызвана скопившейся и продолжающей расти диспропорцией массогабаритных параметров этих устройств в сравнении с цифровыми устройствами комплексов МЭА. Это серьезно тормозит расширение функциональной сложности аналоговых устройств при одновременном росте интеграции, уменьшении массы и объема, сокращении материальных затрат.  

АД ЛУКОЙЛ Нефтохим Бургас, спустя два года после приватизации, уже характеризуется наилучшей среди нефтеперерабатывающих предприятий компании компонентной базой для производства автомобильных бензинов. Для производства всего объема автомобильных бензинов в соответствии с требованиями ЕС необходимо снизить содержание серы в бензине каталитического крекинга и уменьшить содержание бензола.  

В книге налагаются история развития радиотехники, физические принципы и фундаментальные соотношения, используемые в радиоэлектронике, сведения о компонентной базе современных радиоаппаратов; рассматриваются — этапы разработки изделия и внедрения его в производство; рассказывается о том, что должен знать, уметь, о чем должен иметь представление молодой радиоинженер.  

Сколь ни сложным является радиоэлектронное устройство, оно должно содержать основные пассивные элементы: резисторы, конденсаторы, индуктивные катушки или элементы, им эквивалентные, а также активные ( усиливающие, генерирующие) элементы. Их совокупность составляет компонентную базу радиоэлектронных устройств, зависящую, в частности, от принципов построения и технологии их изготовления.  

Второй уровень, адаптация и локализация ( т.е. сосредоточение в определенном регионе) компонентов, требует от менеджеров компании-источника технологии больших затрат времени, денег и энергии, чтобы получатель мог не только использовать переданную технологию, но и искусно встроить ее в существующую производственную систему. Помимо освоения работниками компании-получателя технологии работы на оборудовании, способов его обслуживания и ремонта, местные профессионалы изучают принципы, лежащие в основе новой технологии. Обычно в результате передачи местным фирмам производства компонентной базы происходит наиболее существенное изменение продукта. Поскольку от местных поставщиков требуется создание необходимой технологической базы, для достижения второго уровня источник технологии должен распространить трансфер технологических возможностей более широко, включая сети фирм-поставщиков.  

Примечательно, что потребителей не смущает невысокое, особенно по гранулометрическому составу, качество смешиваемых удобрений. Сближение компонентов по гранулометрическому составу признается целесообразным, но вместе с тем считается, что эффект от однократного внесения всей композиции питательных веществ в требуемом соотношении перекрывает определенное качественное несовершенство тукосмесей. Своеобразен и состав NPK-тукосмесей в ФРГ: основной фосфорсодержащей компонентной базой являются продукты азотнокислотного разложения фосфатов. Предполагают, что в ФРГ сухое тукосмешение будет получать все более широкое распространение благодаря агрохимическим, организационно-хозяйственным и экономическим преимуществам этого метода.  

В инженерном вузе будущий специалист овладевает методами создания изделий по заданным техническим условиям с учетом эксплуатационных, экономических, эстетических факторов. Полученные знания позволяют инженеру нередко самому определять характер технических требований на изделие. Деятельность инженера — творчество, синтез знаний, материалов, изделий широкого применения ( так называемой компонентной базы), технологий, в ходе которых создаются новые, не существовавшие ранее приборы различного назначения.  

Применение ЯМР, естественно, не ограничивается медициной. Метод ЯМР является эффективным инструментом исследований во многих отраслях науки и незаменимым методом контроля качества продукции в народном хозяйстве, в том числе в таких важных областях, как нефтехимия и пищевая промышленность. В настоящее время благодаря развитию компонентной базы электроники имеется возможность уйти от громоздких стационарных энергоемких конструкций и создать гамму приборов различного целевого назначения.  

Предприятия и организации электронной промышленности подчинены только Российскому агентству по системам управления. При этом, учитывая их неразрывную взаимосвязь при производстве продукции военного назначения с предприятиями радиопромышленности, они объединены под общим названием радиоэлектронная промышленность, хотя такое понятие и отсутствует в действующем Общесоюзном классификаторе отраслей народного хозяйства. Это вызвано тем, что в советский период заводы по производству электронной компонентной базы, в том числе интегральных микросхем, поставляли свою продукцию главным образом в составе сложных систем военного назначения. В нынешних условиях и в гражданском секторе постепенно происходит интеграция предприятий по производству электронной компонентной базы и собирающих конечную продукцию для потребителя.  

Предприятия и организации электронной промышленности подчинены только Российскому агентству по системам управления. При этом, учитывая их неразрывную взаимосвязь при производстве продукции военного назначения с предприятиями радиопромышленности, они объединены под общим названием радиоэлектронная промышленность, хотя такое понятие и отсутствует в действующем Общесоюзном классификаторе отраслей народного хозяйства. Это вызвано тем, что в советский период заводы по производству электронной компонентной базы, в том числе интегральных микросхем, поставляли свою продукцию главным образом в составе сложных систем военного назначения. В нынешних условиях и в гражданском секторе постепенно происходит интеграция предприятий по производству электронной компонентной базы и собирающих конечную продукцию для потребителя.  

Страницы:      1

Электронная компонентная база

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *